IS61DDB21M36C-300M3L
制造厂商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半导体）
类别封装：存储器，产品封装：165-LBGA
技术参数：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
（专注销售ISSI电子元器件，承诺原装！现货当天发货�。�
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：IS61DDB21M36C-300M3L制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA产品系列：存储器包装：托盘系列：-零件状态：有源存储器类型：易失存储器格式：SRAM技术：SRAM - 同步，DDR II存储容量：36Mb（1M x 36）存储器接口：并联时钟频率：300MHz写周期时间-字，页：-访问时间：8.4ns电压-供电：1.71V ~ 1.89V工作温度：0°C ~ 70°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：165-LBGAIS61DDB21M36C-300M3L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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