IS43R86400E-6BLI
制造厂商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半导体)
类别封装:存储器,产品封装:60-TFBGA
技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
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参数详情:
制造商产品型号:IS43R86400E-6BLI制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA产品系列:存储器包装:托盘系列:-零件状态:有源存储器类型:易失存储器格式:DRAM技术:SDRAM - DDR存储容量:512Mb(64M x 8)存储器接口:并联时钟频率:166MHz写周期时间-字,页:15ns访问时间:700ps电压-供电:2.3V ~ 2.7V工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)安装类型:表面贴装型产品封装:60-TFBGAIS43R86400E-6BLI的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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