IS43DR86400E-3DBLI-TR
制造厂商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半导体)
类别封装:存储器,产品封装:60-TFBGA
技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
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参数详情:
制造商产品型号:IS43DR86400E-3DBLI-TR制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA产品系列:存储器包装:卷带(TR)系列:-零件状态:有源存储器类型:易失存储器格式:DRAM技术:SDRAM - DDR2存储容量:512Mb(64M x 8)存储器接口:并联时钟频率:333MHz写周期时间-字,页:15ns访问时间:450ns电压-供电:1.7V ~ 1.9V工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)安装类型:表面贴装型产品封装:60-TFBGAIS43DR86400E-3DBLI-TR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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